在趋势见解中搜索“SiC MOSFET”的结果共找到 0 个
电动车高压化进程中,SiC MOSFET中高功率产品或成OBC未来主要趋势
发布时间:2023-02-07
800V高压平台对功率器件性能提出更高要求。由400V系统升高到800V系统后,对应的功率器件耐压水平则需提高至1200V左右。随着高耐压的IGBT阻抗升高,频率性能下降。在同等频率下,Si-IGBT..
1 条记录
1/1 页
电动车高压化进程中,SiC MOSFET中高功率产品或成OBC未来主要趋势
发布时间:2023-02-07
800V高压平台对功率器件性能提出更高要求。由400V系统升高到800V系统后,对应的功率器件耐压水平则需提高至1200V左右。随着高耐压的IGBT阻抗升高,频率性能下降。在同等频率下,Si-IGBT..
微信扫码,联系我们
Copyright@2003-2020 Leadingir corporation All rights reserved
京ICP备12035955号-3
京公网安备 11011502002623号
17310456736